Südkorea – Samsung Electronics weitet seine Zusammenarbeit mit dem niederländischen Lithografie-Spezialisten ASML auf Schlüsselbereiche der nächsten Fertigungsgeneration aus. Das Unternehmen teilte am 8. September 2026 mit, dem von ASML geführten Large Size Mask Consortium beizutreten und gemeinsam 12‑Zoll‑Fotomasken zu entwickeln. Parallel dazu vertiefen beide Seiten die technische Kooperation, um High‑NA‑EUV in der Serienfertigung einzusetzen – mit dem Ziel, die Technologie ab 2028 in der Herstellung fortschrittlicher DRAM einzuführen. Damit richtet Samsung seine Strategie klar auf eine Stärkung der Wettbewerbsfähigkeit in der Feinstrukturierung von Speicher- und Foundry-Prozessen aus.
Fotomasken sind Präzisionsvorlagen, die die Schaltkreismuster tragen, welche bei der Belichtung auf das Silizium übertragen werden. Je kleiner die Strukturen, desto stärker bestimmen Maskenqualität und Belichtung die Chip-Leistung und die Ausbeute. Heute dominieren 6‑Zoll‑Masken. Das von ASML koordinierte Konsortium soll den Übergang auf 12‑Zoll‑Formate vorantreiben, Forschungsarbeiten bündeln und Standards entwickeln. Hintergrund ist die nächste EUV‑Ausbaustufe: High‑NA‑EUV nutzt eine höhere numerische Apertur, um feinere Linien bei gleichzeitig weniger Prozessschritten zu ermöglichen.
In der Praxis stößt die Fertigung mit 6‑Zoll‑Masken an Grenzen, sobald großflächige, hochkomplexe Muster erforderlich sind. Dann müssen Teilbereiche zu einem Gesamtbild „gestitcht“ werden – ein Schritt, der Genauigkeit und Durchsatz begrenzen kann. Größere 12‑Zoll‑Masken versprechen hier Abhilfe: Sie erweitern das nutzbare Feld, reduzieren Stitching‑Abhängigkeiten und erhöhen damit das Potenzial von High‑NA‑EUV für Produktionseffizienz und Stabilität. Gerade bei Bauteilen mit Hunderten Milliarden Transistoren kann die Kombination aus großformatigen Masken und High‑NA‑Belichtung die Prozesskette straffen und Kostenstrukturen verbessern.
Samsung will in das Konsortium seine breite EUV‑Erfahrung aus Speicher- und Foundry‑Fertigung einbringen – ein Vorteil, der sowohl in der Maskentechnologie als auch beim Aufbau eines passenden Ökosystems zum Tragen kommen soll. Die geplante Einführung von High‑NA‑EUV in der DRAM‑Produktion bis 2028 zielt darauf, noch feinere Strukturen mit höherer Reproduzierbarkeit zu realisieren und bestimmte, bislang mehrstufige Arbeitsschritte zu vereinfachen. Das ist besonders relevant vor dem Hintergrund des KI‑getriebenen Bedarfs an leistungsfähigen, kapazitätsstarken Speichern, der die Grenzen klassischer Belichtungsverfahren sichtbar macht.
Die Kooperation zwischen dem in den Niederlanden ansässigen Ausrüster ASML – weltweiter Schlüsselanbieter für EUV‑ und High‑NA‑EUV‑Systeme – und Samsung als integrierter Speicher- und Foundry‑Hersteller unterstreicht eine Verschiebung: Es geht nicht mehr nur um die Lieferung einzelner Werkzeuge, sondern um die gemeinsame Entwicklung von Verfahren, Standards und Fertigungsökosystemen der nächsten Generation. Das kann die Kommerzialisierung neuer Verfahren beschleunigen und die Lernkurve in der Produktion steiler machen.
Unternehmensseitig wird der Schulterschluss klar verortet: 전영현, Vice Chairman und CEO von Samsung Electronics, betonte die wachsende Bedeutung von Technologieinnovationen im KI‑Zeitalter und kündigte an, die Fertigungskompetenzen in Foundry und Speicher weiter zu festigen und mit ASML die technologische Basis für „Next AI“ zu legen. 크리스토프 푸케, CEO von ASML, würdigte Samsung seinerseits als langjährigen Innovationspartner und stellte in Aussicht, die Entwicklung der nächsten Halbleiterfertigungsgeneration gemeinsam voranzutreiben.
Für Europa ist die Entwicklung ebenfalls relevant: Als niederländisches Unternehmen spielt ASML eine zentrale Rolle in der weltweiten Wertschöpfungskette. Die enge Verzahnung mit einem führenden asiatischen Hersteller wie Samsung zeigt, wie sehr die Zukunftsfähigkeit der Branche von grenzüberschreitender Zusammenarbeit bei Schlüsseltechnologien wie High‑NA‑EUV und großformatigen Masken abhängt.
Am Ende steht ein klares industriepolitisches Signal: Wer im Wettlauf um feinere Strukturen und stabile Hochvolumenfertigung vorn liegen will, muss Prozesse, Ausrüstung und Standards synchron entwickeln. Die erweiterte Samsung‑ASML‑Kooperation adressiert genau diese Schnittstellen – mit potenziell weitreichender Wirkung für künftige Speicher- und Foundry‑Generationen.